商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG?TDSON?8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
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英飛凌 ISCH42N04LM7 是市場(chǎng)上同類最佳的 PQFN 5x6 40 V 功率 MOSFET。與 OptiMOS? 6 40 V 相比,ISCH42N04LM7 的 RDS(on) 提高了 40%,與 DirectFET? (L) 解決方案相比,由于采用了 PQFN 5x6,PCB 面積減少了 50%,從而使并行化過(guò)時(shí),并進(jìn)一步提高了功率密度,同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。
特性
? N 溝道
? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)
? 優(yōu)異的熱阻
? 100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
? 無(wú)鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
? 無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)勢(shì)
? 最適合 BMS 應(yīng)用
? 能量損失少/功率密度高
? 易于集成,實(shí)現(xiàn)無(wú)縫兼容
? 可靠性和堅(jiān)固性更高
應(yīng)用領(lǐng)域
? 電池管理系統(tǒng) - 電池保護(hù)
? 電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車 MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強(qiáng)模式通過(guò)汽車 AEC Q101 認(rèn)證MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260C175C 工作溫度綠色封裝(無(wú)鉛)超低 Rds(on)100% 雪崩測(cè)試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢(shì)在 55V(導(dǎo)通)電壓下,為平面技…IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。IPD90P03P4L-04
IPD90P03P4L-04是一款汽車 MOSFET,提供 30V、P-溝道、最大 4.5 mΩ、DPAK、OptiMOS?-P2,是電池反向保護(hù)的理想之選。電話咨詢:86-755-83294757
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