商品名稱:IM70A135V01XTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IM70A135V01XTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:LGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
英飛凌的XENSIV? MEMS模擬差分傳聲器IM70A135V01XTMA1是一款體積小巧的高性能傳聲器,具有135 dBSPL的超高聲學(xué)過(guò)載點(diǎn)。該傳聲器基于英飛凌的新型密封雙膜MEMS技術(shù),在傳聲器級(jí)別上具有很高的入射防護(hù)等級(jí)(IP57)。該麥克風(fēng)體積小,特別適合TWS耳塞應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
類型: MEMS(硅)
輸出類型: 模擬
方向: 噪聲抑制
靈敏度: -38dB
信噪比: 70dB
電壓范圍: 1.52 V ~ 3 V
電流 - 供電 :170 μA
端口位置: 底部
等級(jí): IP57 - 防塵,防水
端接: 焊盤(pán)
大小 / 尺寸: 0.138" 長(zhǎng) x 0.104" 寬(3.50mm x 2.65mm)
高度(最大值): 0.039"(1.00mm)
形狀: 矩形
潛在應(yīng)用
- 主動(dòng)降噪(ANC)耳機(jī)和無(wú)線耳塞(TWS)
- 帶語(yǔ)音用戶界面(VUI)的設(shè)備
- 智能揚(yáng)聲器
- 家庭自動(dòng)化
- 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
- 高品質(zhì)音頻采集
- 會(huì)議系統(tǒng)
- 攝像頭和攝像機(jī)
- 帶有音頻模式檢測(cè)功能的工業(yè)或家庭監(jiān)控
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 數(shù)字,PDM 麥克風(fēng) MEMS(硅) 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-36dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盤(pán)
INFINEON
TLGA-5
1000
10 Hz ~ 10 kHz 數(shù)字,PDM 麥克風(fēng) MEMS(硅) 1.62 V ~ 3.6 V 全向 (-26dB ±1dB @ 94dB SPL) 焊盤(pán)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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