商品名稱:CY8C4147LQE-S243T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4147LQE-S243T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CY8C4147LQE-S243T 是一種可擴展、可重新配置的平臺架構,適用于采用 Arm? Cortex?-M0+ CPU 的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器系列,同時符合 AEC-Q100 標準。
CY8C4147LQE-S243T 是基于 Arm? Cortex?-M0+ CPU 的汽車 PSoC? 4100S 系列 32 位微控制器 IC。
產品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M0+
內核大?。?2 位
速度:24MHz
輸入/輸出數(shù)量 34
程序存儲器大小:128KB(128K x 8)
程序存儲器類型:FLASH 閃存
RAM 大?。?16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
振蕩器類型: 內部
工作溫度:-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:40-UFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:40-QFN (6x6)
產品特性
32 位 MCU 子系統(tǒng)
48-MHz Arm? Cortex?-M0+ CPU
高達 128 KB 的閃存,帶讀取加速器
高達 16 KB 的 SRAM
8 通道 DMA 引擎
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
深度睡眠模式,具有可操作的模擬和 2.5 ?A 數(shù)字系統(tǒng)電流
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
PLL 生成 48 MHz 頻率
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內部主振蕩器 (IMO)
32 kHz 內部低功耗振蕩器 (ILO)
真隨機數(shù)發(fā)生器 (TRNG)
多達 54 個可編程 GPIO 引腳
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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