商品名稱:CY8C4245AZA-M445T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4245AZA-M445T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TQFP-64
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CY8C4245AZA-M445T 是微控制器與數(shù)字可編程邏輯、可編程模擬、可編程互連、高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換、帶比較器模式的運算放大器以及標(biāo)準(zhǔn)通信和定時外設(shè)的組合。
CY8C4245AZA-M445T 將可編程和可重新配置的模擬和數(shù)字模塊與靈活的自動路由相結(jié)合。
產(chǎn)品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M0
內(nèi)核大小:32 位
速度: 48MHz
輸入/輸出數(shù)量 51
程序存儲器大?。?2KB(32K x 8)
程序存儲器類型:FLASH 閃存
RAM 大?。?4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 16x12b SAR;D/A 4x7/8b
振蕩器類型 外部、內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼:64-LQFP
供應(yīng)商器件封裝:64-TQFP (10x10)
產(chǎn)品特性
32 位 MCU 子系統(tǒng)
通過汽車電子委員會 (AEC) AEC-Q100 認(rèn)證
48 MHz Arm? Cortex?-M0 CPU,具有單周期乘法功能
高達 128 kB 的閃存,帶讀取加速器
高達 16 kB 的 SRAM
DMA 引擎
1.71 至 5.5 V 低功耗運行
20nA 停止模式,帶 GPIO 引腳喚醒功能
多達 51 個可編程 GPIO
轉(zhuǎn)換速率為 1-Msps 的 12 位 SAR ADC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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